通过CVD方法在半导体晶片上沉积层的方法以及用于实施该方法的室

摘要

本发明涉及通过CVD方法在半导体晶片上沉积层的方法，其中通过在顶部受窗约束且在底部受平面E约束的通道输送沉积气体，其中所述窗能透过热辐射，并且要涂敷的半导体晶片的表面位于平面E中。输送沉积气体经过半导体晶片的速度是变化的，这是由于在所述窗的中心区域和在所述窗的边缘区域，所述平面与窗之间的距离D在外侧大于内侧，并且在中心区域与边缘区域之间的边界处，所述距离的径向分布的切线与所述平面形成不小于15°且不大于25°的角，其中窗的中心区域是覆盖半导体晶片的窗的内侧区域，而窗的边缘区域是不覆盖半导体晶片的窗的外侧区域。本发明进一步涉及用于通过CVD方法在半导体晶片上沉积层的室，以及包括外延层的半导体晶片。

主权项

一种用于在室中通过CVD方法在半导体晶片上沉积层的方法，其包括将沉积气体从室的进气口，经过半导体晶片，输送到室的出气口，其中沉积气体通过在顶部受窗约束且在底部受平面E约束的通道输送，其中所述窗能透过热辐射，要沉积的半导体晶片的表面位于平面E中，其中输送沉积气体经过半导体晶片的速度是变化的，这是由于在所述窗的中心区域和在所述窗的边缘区域，所述平面与窗之间的距离D在外侧大于内侧，而在中心区域的里面部分保持不变，并且在中心区域与边缘区域之间的边界处，所述距离D的径向分布的切线与反映所述径向分布的D‑L曲线的横坐标L相交并形成不小于15°且不大于25°的角W，其中横坐标L表示径向分布离窗中心的距离，并且窗的中心区域是覆盖半导体晶片的窗的内侧区域，而窗的边缘区域是不覆盖半导体晶片的窗的外侧区域。