| 发明名称 | 透明导电复合膜 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于制造透明导电膜的方法，所述透明导电膜包含：(i)包含聚合物基层和聚合物粘合层的聚合物基底，其中所述基层聚合物材料的软化温度为TS-B，所述粘合层聚合物材料的软化温度为TS-HS；和(ii)包含多条纳米线的导电层，其中所述纳米线由所述粘合层聚合物基质粘合以便所述纳米线至少部分地分散在所述粘合层聚合物基质中，所述方法包含以下步骤：提供包含聚合物基层和聚合物粘合层的聚合物基底；将所述纳米线布置在所述粘合层暴露表面上；和将所述复合膜加热至温度T1，其中T1等于或大于TS-HS并且T1比TS-B低至少约5℃；本发明还公开了由所述方法获得的透明导电膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102421600A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN201080020278.5 | 申请日期 | 2010.05.11 |
| 申请人 | 杜邦帝人薄膜美国有限公司 | 发明人 | 格扎维埃·G·P·博里斯-阿泽奥;蒂纳·怀特 |
| 分类号 | B32B33/00(2006.01)I;B32B37/04(2006.01)I;H01B1/22(2006.01)I;H01B1/24(2006.01)I | 主分类号 | B32B33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 李丙林;张英 |
| 主权项 | 一种用于制造透明导电膜的方法，所述透明导电膜包含：(i)聚合物基底，包含聚合物基层和聚合物粘合层，其中，所述基层的聚合物材料的软化温度为TS‑B，所述粘合层的聚合物材料的软化温度为TS‑HS；和(ii)导电层，包含多条纳米线，其中，所述纳米线通过所述粘合层的聚合物基质粘合，使得所述纳米线至少部分地分散在所述粘合层的聚合物基质中，所述方法包括以下步骤：提供包含聚合物基层和聚合物粘合层的聚合物基底；将所述纳米线布置在所述粘合层的暴露表面上；以及将复合膜加热至温度T1，其中，T1等于或大于TS‑HS，并且T1比TS‑B低至少约5℃。 | ||
| 地址 | 美国弗吉尼亚州 | ||