| 发明名称 | 设有背面保护膜的半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，在半导体晶片(21)的下表面形成的由树脂构成的背面保护膜(3)的与切割道(22)的宽度方向部对应的部分，通过照射激光束的激光加工，形成开口部(23)。接着，使用树脂切削用的刀(27)，对与切割道(22)及其两侧对应的部分中的由树脂构成的密封膜(13)及半导体晶片(21)的上表面侧进行切削，形成槽(28)。接着，使用硅切削用的刀，对与切割道(22)对应的部分中的半导体晶片(21)及背面保护膜(3)进行切削。该情况下，由硅切削用的刀造成的对背面保护膜(3)的切削减少与开口部(23)对应的量，能够降低刀的堵塞的风险，并抑制半导体晶片的切削面的缺陷发生。并且，能够大幅降低该刀的树脂堵塞的风险，由此增长该刀的寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN102420195A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN201110279633.7 | 申请日期 | 2011.09.20 |
| 申请人 | 卡西欧计算机株式会社 | 发明人 | 小六泰辅 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：半导体基板；密封膜，设置在上述半导体基板的一面侧；以及背面保护膜，设置在上述半导体基板的另一面侧的至少除了外缘部以外。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||