发明名称 硅片背面缺陷正面打点的定位装置
摘要 本实用新型公开了一种硅片背面缺陷正面打点的定位装置,包括安装硅片的铁环、位于铁环四周的方形导轨框架,所述导轨框架包括四个带刻度尺的导轨,导轨框架上设有两根可移动的游尺,其中一根游尺垂直地跨设在平行的两个导轨上,另一根游尺垂直地跨设在另外两个平行的导轨上。本实用新型通过对具体缺陷位置的坐标化,改变了现有人为目测计算die位置的费时费力的做法,提高了工作效率和定位准确率,出错概率降低,定位时间缩短,正面划伤概率理论值为零。
申请公布号 CN202196760U 申请公布日期 2012.04.18
申请号 CN201120305660.2 申请日期 2011.08.22
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 汪雪锋;陈杰;陈培华;沈捷
分类号 H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 戴广志
主权项 一种硅片背面缺陷正面打点的定位装置,其特征在于:包括安装硅片(1)的铁环(4)、位于铁环(4)四周的方形导轨框架,所述导轨框架包括四个导轨(2),其中至少两个相互垂直的导轨上具有刻度尺,所述导轨框架上设有两根可移动的游尺(3),其中一根游尺(3)垂直地跨设在平行的两个导轨(2)上,另一根游尺(3)垂直地跨设在另外两个平行的导轨(2)上。
地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号