| 发明名称 | 倒梯形替代栅极及倒梯形金属栅电极的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种倒梯形替代栅极的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次沉积栅氧化层、第一氮化层和氧化层；对所述氧化层进行刻蚀形成矩形沟槽，所述矩形沟槽底露出第一氮化层表面；沉积第二氮化层，所述第二氮化层覆盖矩形沟槽的底部、侧壁和所述氧化层；对所述第二氮化层和第一氮化层依次进行刻蚀形成倒梯形沟槽，所述倒梯形沟槽底露出栅氧化层表面；在所述倒梯形沟槽内形成倒梯形替代栅极；去除倒梯形替代栅极两侧的氧化层、第一氮化层和第二氮化层。本发明还提供了一种倒梯形金属栅电极的制作方法。本发明能够形成理想形状的倒梯形替代栅极以及倒梯形金属栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102412128A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201010292584.6 | 申请日期 | 2010.09.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张翼英 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种倒梯形替代栅极的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次沉积栅氧化层、第一氮化层和氧化层；对所述氧化层进行刻蚀形成矩形沟槽，所述矩形沟槽底露出第一氮化层表面；沉积第二氮化层，所述第二氮化层覆盖矩形沟槽的底部、侧壁和所述氧化层；对所述第二氮化层和第一氮化层依次进行刻蚀形成倒梯形沟槽，所述倒梯形沟槽底露出栅氧化层表面；在所述倒梯形沟槽内形成倒梯形替代栅极；去除倒梯形替代栅极两侧的氧化层、第一氮化层和第二氮化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||