发明名称 外延片衬底、外延片及半导体器件
摘要 本发明公开了一种外延片衬底,其特征在于,在N型衬底掺杂有p型杂质原子。按照本发明技术方案生产的外延片,电阻率均匀性可以做到<1.5%,可降低后续生产成本,提高产品品质。
申请公布号 CN102412271A 申请公布日期 2012.04.11
申请号 CN201110274044.X 申请日期 2011.09.15
申请人 上海晶盟硅材料有限公司 发明人 顾昱;钟旻远;林志鑫
分类号 H01L29/36(2006.01)I 主分类号 H01L29/36(2006.01)I
代理机构 上海脱颖律师事务所 31259 代理人 李强
主权项 外延片衬底,其特征在于,在N型衬底掺杂有p型杂质原子。
地址 201707 上海市青浦区北青公路8228号二区48号
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