发明名称 发光二极管制造方法
摘要 一种发光二极管制造方法,包括步骤:1)提供开设多个收容槽的基板,每一收容槽内具有台阶;2)将若干发光芯片分别固定于这些收容槽内,使每一收容槽内至少具有一个发光芯片;3)提供多个封装体,将每一封装体通过粘胶固定于各收容槽的台阶表面;4)将基板切割为多个独立的发光二极管。本发明的制造方法无需使用治具,可有效节省制造成本。
申请公布号 CN102412346A 申请公布日期 2012.04.11
申请号 CN201010289812.4 申请日期 2010.09.23
申请人 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 发明人 柯志勋;詹勋伟
分类号 H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极管制造方法,包括步骤:1)提供开设多个收容槽的基板,每一收容槽内具有台阶;2)将若干发光芯片分别固定于这些收容槽内,使每一收容槽内至少具有一个发光芯片;3)提供多个封装体,将每一封装体通过粘胶固定于各收容槽的台阶表面;4)将基板切割为多个独立的发光二极管。
地址 518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号