| 发明名称 | 带悬浮发射区的功率晶体管 | ||
| 摘要 | 一种带悬浮发射区的功率晶体管，它包括集电区、集电区的上方为基区（3），基区（3）内设有发射区（2），在基区（3）内，基区（3）和发射区（2）之间设有悬浮发射区（1）；发射区（2）的结深为10±2μm；悬浮发射区（1）的宽度为15-20μm。当基区电流流向发射区时，悬浮发射区对电流的流向进行了适当地疏导，通过提高电流分布的均匀性，避免了电流过于集中区域容易产生温度急剧升高的“热斑”效应所导致器件的失效，从而有效地提高了产品的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN202189791U | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201120257627.7 | 申请日期 | 2011.07.20 |
| 申请人 | 江苏东光微电子股份有限公司 | 发明人 | 严研;刘绪强 |
| 分类号 | H01L29/73(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/73(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人 | 夏平;高原 |
| 主权项 | 一种带悬浮发射区的功率晶体管，它包括集电区、集电区的上方为基区（3），基区（3）内设有发射区（2），其特征是在基区（3）内，基区（3）和发射区（2）之间设有悬浮发射区（1）。 | ||
| 地址 | 214205 江苏省无锡市宜兴新街百合工业园 | ||