| 发明名称 | 通过高温热退火改善薄层品质 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于形成在半导体材料中包含取自供体基片的层的结构体的方法，所述方法包括下列连续步骤：(a)注入原子物种以在所述供体基片中在给定深度形成脆化区；(b)组装所述供体基片与受体基片；(c)通过实现在高温下进行的剥离退火提供能量从而在所述脆化区剥离所述取自供体基片的层；(d)对获取的所述层进行修整处理以改善所述层的表面状况，其特征在于在剥离步骤(c)中，高温剥离退火随着使得达到高温的上升而发展，所述高温相当于最大剥离退火温度，其特征还在于以防止在剥离后所获得的所述结构体的表面上出现明显缺陷性的方式限制暴露于所述高温的持续时间。 | ||
| 申请公布号 | CN101641775B | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN200880009682.5 | 申请日期 | 2008.03.14 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 康斯坦丁·布德尔;古耶特·芳·阮;沃尔特·施瓦岑贝格 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
| 主权项 | 一种用于形成在半导体材料中包含取自供体基片的层的结构体的方法，所述方法包括下列步骤：(a)注入原子物种以在所述供体基片中在给定深度形成脆化区；(b)组装所述供体基片与受体基片；(c)通过实现在高温下进行的剥离退火提供能量从而在所述脆化区剥离所述取自供体基片的层；(d)对获取的所述层进行修整处理以改善所述层的表面状况，其特征在于在剥离步骤(c)中，高温剥离退火包括使得达到高温的温度上升阶段，并且一旦达到所述高温就使温度下降，在所述上升期间达到的最大高温值大于500℃，其中，所述高温相当于最大剥离退火温度。 | ||
| 地址 | 法国伯涅尼 | ||