发明名称 用于矽结晶化之坩埚
摘要 本发明系关于用于矽结晶化之坩埚,以及制造和应用于供处理熔融物质使用之坩锅的释放涂层,该熔融物质于坩锅内部固化并形成铸锭移出,具体而言,本发明为用于多晶矽固化之坩埚的释放涂层。本发明者的目标在于提供一种无需形成非常厚的涂层之坩埚于最终使用者的设备中,这意味者能以较快速和较便宜的方式生产,以及藉由改善对壁的附着性而得到较强的涂层,现在已发现藉由使用此一坩锅能解决这些问题,该用于矽结晶化之坩锅包含a)界定内部体积的本体,该本体包含底部表面与侧壁,b)于侧壁面向内部体积的表面含有50-100重量百分比之矽石的中间层,c)于中间层上方有含有50-100重量百分比之氮化矽、多至50重量百分比之二氧化矽和多至20重量百分比之矽的表面层。
申请公布号 TWI361174 申请公布日期 2012.04.01
申请号 TW094113170 申请日期 2005.04.26
申请人 维苏威克鲁什伯公司 美国 发明人 吉伯瑞库尔
分类号 C03B20/00 主分类号 C03B20/00
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项
地址 美国