Testsystem und Verfahren zum Verringern der Schäden in Saatschichten in Metallisierungssystemen von Halbleiterbauelementen

摘要

Verfahren mit: Bilden einer leitenden Schicht auf inneren Oberflächenbereichen mehrerer Öffnungen, die in einer dielektrischen Schicht über einem Substrat eines Halbleiterbauelementes gebildet sind, wobei die mehreren Öffnungen in einem speziellen Testbereich des Substrates ausgebildet sind; Einbringen des Substrates mit der leitenden Schicht in eine Reinraumumgebung, die auf der Grundlage einer speziellen Parametereinstellung eingerichtet ist; Bilden eines Metallgebietes in jeder der mehreren Öffnungen des Substrates; Bestimmen einer Defektrate des spezifizierten Testbereiches des Substrates; und Einstellen mindestens eines Parameterwertes der spezifizierten Parametereinstellung der Reinraumumgebung auf der Grundlage der aus dem Substrat erhaltenen Defektrate.