| 发明名称 | 自对准闪存中的浮栅结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种自对准闪存中的浮栅结构及其制造方法。根据本发明的自对准闪存中的浮栅结构包括：衬底、布置在所述衬底上的栅极氧化层、布置在所述栅极氧化层上的未掺杂多晶硅层、以及布置在所述未掺杂多晶硅层上的掺杂多晶硅层。根据本发明的结构和方法，在修复硅蚀刻后界面的损伤的工艺的高温制程中，未掺杂多晶硅层的氧化速度比掺杂多晶硅层慢，这样就缓解了微笑效应。 | ||
| 申请公布号 | CN102394243A | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
| 申请号 | CN201110341960.0 | 申请日期 | 2011.11.02 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张雄 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种自对准闪存中的浮栅结构，其特征在于包括：衬底、布置在所述衬底上的栅极氧化层、布置在所述栅极氧化层上的未掺杂多晶硅层、以及布置在所述未掺杂多晶硅层上的掺杂多晶硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||