发明名称 防攻击保护的电子元件及其制造方法
摘要 本发明涉及一种制造元件的方法,该元件例如是硅片基微控制器、集成电路或等同物(1、14、20),尤其适合于智能卡,其特征在于,装置(18)设置成在试图薄化该硅片的情形破坏或损坏所述元件;特别是,所述装置可以作用在所述晶片的极化;特别是,该硅基板晶片仅从该后侧面(17)极化。本发明还涉及如此制造的元件和包括该元件的智能卡。
申请公布号 CN101107709B 申请公布日期 2012.03.28
申请号 CN200680002687.6 申请日期 2006.02.07
申请人 金雅拓股份有限公司 发明人 米歇尔·西尔
分类号 H01L23/58(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I 主分类号 H01L23/58(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陶凤波
主权项 一种制造晶片基电子元件的方法,该元件是硅片基微控制器(1、14、20),包括硅基板,该硅基板包括前侧面和后侧面,有源部分在该前侧面,其中包括在该前侧面的有源部分被配置以存储秘密数据,其特征在于,所述方法包括下述步骤:薄化所述基板至适合于该元件的目标操作的厚度;通过用掺杂材料掺杂该后侧面,从所述后侧面实现装置(18),所述装置包括主体结或阱,以形成后极化连接,从而从该后侧面极化该基板;其中所述装置(18)设置成在试图从该后侧面薄化该元件的情形破坏或损坏所述元件,以及切割该晶片。
地址 法国默东