| 发明名称 | 一种太阳电池背面钝化层的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种太阳电池背面钝化层的制备方法，它包括如下步骤：(1)按照后期需要的背面电极的形状，制作掩膜；(2)将掩膜置于待钝化的太阳电池硅片背面，然后再采用常规钝化方法，在硅片背面沉积钝化层后，将硅片与掩膜分离即可。采用本发明制备方法，省去了对钝化层的开口工艺，极大的节约了太阳能电池的生产成本，同时，经该钝化方法最终得到的太阳能电池，保证了较高的转化效率，其效率与现有背面钝化电池相当。 | ||
| 申请公布号 | CN102394260A | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
| 申请号 | CN201110387789.7 | 申请日期 | 2011.11.29 |
| 申请人 | 天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司 | 发明人 | 路忠林;李丽;吴昕;许佳平;刘林;盛雯婷;张凤鸣 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人 | 李高峡 |
| 主权项 | 一种太阳电池背面钝化层的制备方法，其特征在于：它包括如下步骤：(1)按照后期需要背面电极的形状，制作掩膜；(2)将掩膜置于待钝化的太阳电池硅片背面，然后再采用常规钝化方法，在硅片背面沉积钝化层后，将硅片与掩膜分离即可。 | ||
| 地址 | 610200 四川省成都市双流县西南航空港经济技术开发区天威路1号 | ||