发明名称 |
锂离子导体及其制备方法 |
摘要 |
锂离子导体及其制备方法,它属于锂离子电池导体领域。本发明要解决现有无机锂离子导体存在电导率低的问题。锂离子导体是在LixMyNzO12或LixAMyNzO12中扩渗B而制成的。一、称取原料;二、将原料和水混合,湿磨1小时,搅拌烘干后球磨或研磨,再煅烧,研磨成粉状,即得到LixMyNzO12或LixAMyNzO12;三、制渗液;四、扩渗得到锂离子导体。本发明通过掺杂改变其晶格参数,造成局部晶格缺陷,从而提高离子电导率;并且气相扩渗对纳米粉体或微米粉体的颗粒表面进行微扰,造成局部晶格缺陷,达到进一步提高离子电导率的目的。锂离子导体的电导率可达到10-5S/cm,甚至接近10-4S/cm。 |
申请公布号 |
CN102394289A |
申请公布日期 |
2012.03.28 |
申请号 |
CN201110173415.5 |
申请日期 |
2011.06.24 |
申请人 |
黑龙江工程学院 |
发明人 |
高农;许展铭;顾大明;顾硕 |
分类号 |
H01M4/48(2010.01)I |
主分类号 |
H01M4/48(2010.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 |
代理人 |
韩末洙 |
主权项 |
锂离子导体,其特征在于锂离子导体是在LixMyNzO12中扩渗B而制成的,其中M为稀土元素,N为Nb、Ta、Bi或Sb,B为La、Ce、Sm、Tb、Lu、Nb、Ta、Bi或Sb。 |
地址 |
150050 黑龙江省哈尔滨市道外区红旗大街999号 |