静电放电保护电路元件

摘要

一种用于静电放电保护电路之N型横向扩散金氧半导体(LDNMOS)元件，其包括P型基底以及N型深井区。P型基底包括第一区域与第二区域。N型深井区位于P型基底的第一区域与第二区域之内。LDNMOS元件还包括位于第一区域区与第二区域之间的P型基底上的闸极；位于第一区域内的P型植入区及；位于第一区域的N型深井区中的N型阶区；位于N型阶区中的N型第一掺杂区；位于第二区域内的P型基体区；位于P型基体区中的N型第二掺杂区；以及位于P型基体区中与N型第二掺杂区相邻的P型掺杂区。