发明名称 |
一种可调变光学衰减器及其制作方法 |
摘要 |
本发明为一种可调变光学衰减器及其制作方法,属于光学通信领域,其包括二氧化硅衬底及设于其上的外部二氧化硅上包层,外部二氧化硅上包层内部设有凹槽,外部二氧化硅上包层与凹槽之间设有侧沟槽,侧沟槽内充满热光材料,外部二氧化硅上包层、侧沟槽、凹槽的上部覆有封帽,凹槽底部设有波导芯,波导芯上部设有内部二氧化硅上包层,所述封帽内部与内部二氧化硅上包层相接处设有金属电极。通过在二氧化硅衬底上直接生长出波导芯,不仅减去了二氧化硅下包层的生长时间,缩短了产品的生长周期,而且降低了产品成本;另外,由于衬底和下包层为同种材料,消除了衬底对器件的应力影响,有效地降低了器件的偏振相关损耗。 |
申请公布号 |
CN102385175A |
申请公布日期 |
2012.03.21 |
申请号 |
CN201110352761.X |
申请日期 |
2011.11.09 |
申请人 |
孙其琴 |
发明人 |
宋齐望;孙麦可 |
分类号 |
G02F1/01(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/01(2006.01)I |
代理机构 |
北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 |
代理人 |
刘震 |
主权项 |
一种可调变光学衰减器,包括二氧化硅衬底,其特征在于:所述二氧化硅衬底上设有外部二氧化硅上包层,所述外部二氧化硅上包层内部设有凹槽,所述外部二氧化硅上包层与凹槽之间设有侧沟槽,所述侧沟槽内充满热光材料,所述外部二氧化硅上包层、侧沟槽、凹槽的上部覆有封帽,所述凹槽底部设有波导芯,所述波导芯上部设有内部二氧化硅上包层,所述封帽内部与内部二氧化硅上包层相接处设有金属电极。 |
地址 |
214000 江苏省无锡市滨湖区万科城市花园一区2号1202室 |