发明名称 电容的器件失配的修正方法
摘要 本发明公开了一种电容的器件失配的修正方法,首先,确定电容的工艺失配参数为3个,分别为面积型电容密度、周长型电容密度、电容值;其次,设定这3个参数的随机偏差;再次,对电容的器件失配进行修正。本发明可以在SPICE软件中对电容的器件失配进行仿真分析,而且充分考虑到电容宽度W、电容长度L和器件间距D对电容的器件失配的影响。
申请公布号 CN102385645A 申请公布日期 2012.03.21
申请号 CN201010271615.X 申请日期 2010.09.03
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 周天舒;王正楠
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 丁纪铁
主权项 1.一种电容的器件失配的修正方法,其特征是:首先,确定电容的工艺失配参数为3个,分别为面积型电容密度、周长型电容密度、电容值;其次,设定面积型电容密度的随机偏差<img file="FDA0000025596160000011.GIF" wi="114" he="56" /><img file="FDA0000025596160000012.GIF" wi="572" he="116" />设定周长型电容密度的随机偏差<img file="FDA0000025596160000013.GIF" wi="118" he="56" /><img file="FDA0000025596160000014.GIF" wi="688" he="118" />设定电容值的随机偏差<img file="FDA0000025596160000015.GIF" wi="102" he="56" /><img file="FDA0000025596160000016.GIF" wi="930" he="56" />其中W为电容宽度、L为电容长度、D为电容之间的间距,S<sub>ΔCA</sub>、T<sub>ΔCA</sub>、S<sub>ΔCP1</sub>、S<sub>ΔCP2</sub>、T<sub>ΔCP</sub>为随机偏差修正因子;再次,对电容的器件失配进行修正,具体包括:<maths num="0001"><![CDATA[<math><mrow><mi>C</mi><mo>=</mo><mi>CA</mi><mo>_</mo><mi>original</mi><mo>&times;</mo><mrow><mo>(</mo><mi>W</mi><mo>&times;</mo><mi>L</mi><mo>)</mo></mrow><mo>&times;</mo><mo>[</mo><mn>1</mn><mo>+</mo><mi>W</mi><mo>&times;</mo><mi>L</mi><mo>&times;</mo><mfrac><msub><mi>S</mi><mi>&Delta;CA</mi></msub><msqrt><mi>W</mi><mo>&times;</mo><mi>L</mi></msqrt></mfrac><mo>&times;</mo><mi>agauss</mi><mrow><mo>(</mo><mn>0,1,3</mn><mo>)</mo></mrow><mo>+</mo><mi>D</mi><mo>&times;</mo><msub><mi>T</mi><mi>&Delta;CA</mi></msub><mo>&times;</mo><mi>agauss</mi><mrow><mo>(</mo><mn>0,1,3</mn><mo>)</mo></mrow><mo>]</mo></mrow></math>]]></maths><maths num="0002"><![CDATA[<math><mrow><mo>+</mo><mi>CP</mi><mo>_</mo><mi>original</mi><mo>&times;</mo><mo>[</mo><mn>2</mn><mo>&times;</mo><mrow><mo>(</mo><mi>W</mi><mo>+</mo><mi>L</mi><mo>)</mo></mrow><mo>]</mo><mo>&times;</mo><mo>{</mo><mn>1</mn><mo>+</mo><mn>2</mn><mo>&times;</mo><mrow><mo>(</mo><mi>W</mi><mo>+</mo><mi>L</mi><mo>)</mo></mrow><mo>&times;</mo><mo>[</mo><mfrac><msub><mi>S</mi><mrow><mi>&Delta;CP</mi><mn>1</mn></mrow></msub><mi>W</mi></mfrac><mo>&times;</mo><mi>agauss</mi><mrow><mo>(</mo><mn>0,1,3</mn><mo>)</mo></mrow><mo>+</mo><mfrac><msub><mi>S</mi><mrow><mi>&Delta;CP</mi><mn>2</mn></mrow></msub><mi>L</mi></mfrac><mo>&times;</mo><mi>agauss</mi><mrow><mo>(</mo><mn>0,1,3</mn><mo>)</mo></mrow></mrow></math>]]></maths><maths num="0003"><![CDATA[<math><mrow><mo>+</mo><mi>D</mi><mo>&times;</mo><msub><mi>T</mi><mi>&Delta;CP</mi></msub><mo>&times;</mo><mi>agauss</mi><mrow><mo>(</mo><mn>0,1,3</mn><mo>)</mo></mrow><mo>]</mo><mo>}</mo></mrow></math>]]></maths>其中C为修正后的电容值,CA_original为原始的面积型电容密度,CP_original为原始的周长型电容密度;所述agauss(0,1,3)表示期望值为1、标准差为1/3的正态分布取值范围内的随机数。
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