原位形成的包括应变诱导合金及梯度掺杂分布的源漏区

摘要

可基于原位(in-situ)掺杂的应变诱导半导体合金获得晶体管的掺杂分布，其中，可沿高度方向建立梯度掺杂浓度。因此，该半导体合金可邻近沟道区设置，以提升总体的应变诱导效率，同时不会过分影响最终获得的掺杂分布。而且，可在选择性生长该半导体合金之前纳入额外的注入种类，以避免因注入引起的内部应变松弛。

主权项

一种方法，包括：在横向邻近栅极电极结构的晶体管有源區中形成开口，该栅极电极结构包括栅极介电材料、形成于该栅极介电材料上的电极材料，以及偏移侧间隙壁；在该开口中形成应变诱导半导体合金，该应变诱导半导体合金包括一掺杂种类，其沿该开口之高度方向具有不同的掺杂浓度；以及执行热处理以基于该掺杂种类的该不同掺杂浓度形成源漏延伸区，该源漏延伸区连接该晶体管的沟道区。