| 摘要 |
Eine Vorrichtung umfasst einen vertikalen Leistungs-Halbleiterchip mit einer Epitaxieschicht und einer Volumen-Halbleiterschicht. Eine erste Kontaktstelle ist auf einer ersten Hauptfläche des Leistungs-Halbleiterchips angeordnet und eine zweite Kontaktstelle ist auf einer zweiten Hauptfläche des Leistungs-Halbleiterchips entgegengesetzt zur ersten Hauptfläche angeordnet. Die Vorrichtung umfasst ferner einen elektrisch leitfähigen Träger, der an der zweiten Kontaktstelle befestigt ist. |
