织构化发光二极管

摘要

一种高填充因子的织构化发光二极管结构包括：第一织构化覆层和接触层(2)，包括掺杂III-V或II-VI族化合物半导体或这种半导体的合金，其通过横向外延过生长(ELOG)沉积到图案化衬底(1)上；织构化未掺杂或掺杂的有源层(3)，包括III-V或II-VI族半导体或这种半导体的合金，以及其中发生电子和空穴的辐射复合或发生子能带间的跃迁；以及第二织构化覆层和接触层(4)，包括掺杂III-V或II-VI族半导体或这种半导体的合金。

主权项

一种织构化发光二极管结构，包括：第一织构化覆层和接触层，其为三维结构的阵列的形式，所述三维结构包括通过横向外延过生长沉积到图案化衬底上的掺杂的III‑V或II‑VI族化合物半导体或这种半导体的合金；织构化未掺杂或掺杂的有源层，包括III‑V或II‑VI族半导体或这种半导体的合金，以及其中发生电子和空穴的辐射复合或者发生子能带间的跃迁；以及第二织构化覆层和接触层，包括掺杂的III‑V或II‑VI族半导体或这种半导体的合金，所述织构化发光二极管结构的特征在于，所述有源层在所述第一织构化覆层和接触层的范围上形成，使得对于所述阵列的范围，填充因子大于1，其中光是从所述织构化发光二极管结构的顶部发出的，且其中所述结构包括三角形、六边形、凸起、凹入或梯形的结构的阵列，并且所述第一织构化覆层和接触层以及所述第二织构化覆层和接触层在所述阵列的范围内是连续的。