高读取速度低切换噪声的存储器电路及其方法

摘要

本发明公开了一存储器电路，其包含一输出缓存器装置及一预设电路，该输出缓存器装置包含一第一输入，用以接收一数据信号；一第二输入，用以接收一预设电压；以及一输出，用以输出该数据信号；其中，该预设电路由一对金氧半晶体管所构成，其是接收一控制信号以同时开启该对金氧半晶体管，以在该输出缓存器接收该数据信号之前提供该预设电压至该第二输入。

主权项

一种具高读取速度及低切换噪声的存储器电路，其特征在于，包含：一第一三态缓存器，其是被输入具有一第一电压电平的一数据信号，且当该第一三态缓存器开启时，该数据信号经由一第一负载线路输出；一第二三态缓存器，其与该第一负载线路电性连接，当该第二三态缓存器开启时，该第二三态缓存器接收并输出该数据信号；以及一预设电路，其为一金属氧化物半导体晶体管的串叠电路，包含一对金属氧化物半导体晶体管，该对金属氧化物半导体晶体管包含串联连接的一N型金属氧化物半导体晶体管及一P型金属氧化物半导体晶体管，该预设电路是在该第一三态缓存器开启之前从该对金属氧化物半导体晶体管之间的一输出端提供具有一第二电压电平的一预设电压至该第一负载线路，其中，该预设电路接收一控制信号以同时开启该N型及P型金属氧化物半导体晶体管，且当该第一三态缓存器开启时，该第一负载线路的电压值是从该第二电压电平振荡到该第一电压电平。