| 发明名称 | 发光二极管元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种不用对6H型SiC掺杂Al而可以得到比掺杂了B和N的通常的6H型SiC的发光区域短波长侧的发光的发光二极管元件及其制造方法。在发光二极管元件100的SiC基板102形成由添加了B和N的多孔状单晶6H型SiC构成的多孔层124，如果多孔层124被氮化物半导体层发出的紫外光激励，可得到从蓝色到绿色的可视光。 | ||
| 申请公布号 | CN102369605A | 申请公布日期 | 2012.03.07 |
| 申请号 | CN201080013974.3 | 申请日期 | 2010.03.26 |
| 申请人 | 名城大学 | 发明人 | 上山智;岩谷素显;天野浩;赤崎勇;西村拓哉;寺前文晴;近藤俊行 |
| 分类号 | H01L33/08(2006.01)I;H01L33/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;徐丁峰 |
| 主权项 | 一种发光二级管元件，具有：半导体发光部；以及多孔SiC部，由添加了N和B的多孔状单晶6H型SiC构成，如果被所述半导体发光部发出的光激励则发出可视光。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||