| 摘要 |
<p>유도결합형 플라즈마 발생소스 전극 및 이를 포함하는 기판처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따르면, 기판처리를 위한 유도결합형 플라즈마(ICP; Inductively Coupled Plasma)를 발생시키는 플라즈마 발생소스 전극(410)으로서, 일 이상의 절곡점을 갖는 절곡부(411), 절곡부(411)를 기준으로 처리의 대상이 되는 기판(440)의 상부에 위치하는 제1 전극부(412), 및 절곡부(411)를 기준으로 기판(440)의 하부에 위치하는 제2 전극부(413)를 포함하는 플라즈마 발생소스 전극(410)이 제공된다. 본 발명에 의하면, 처리 대상이 되는 기판의 전 영역에서 균일한 플라즈마 밀도가 얻어질 수 있고 신호의 감쇄 또한 방지될 수 있다.</p> |
