背接触太阳能电池的制造方法

摘要

本发明公开了一种背接触太阳能电池的制造方法，首先在N型硅基片的背面生长P型掺杂二氧化硅层；然后在P型掺杂层上生长不掺杂的二氧化硅层；之后在不掺杂的二氧化硅层上印刷腐蚀剂或抗腐蚀剂，将P型掺杂二氧化硅层和不掺杂的二氧化硅层腐蚀形成需要的图形；最后在基片的正、背两面进行N型掺杂，形成N型掺杂层。通过不掺杂的二氧化硅层对P型掺杂层进行保护，在N型掺杂步骤中同时实现了电池正面的N型前表面场和电池背面的PN交替掺杂层，减少了扩散步骤，使成本降低、工艺简化。

主权项

一种背接触太阳能电池的制造方法，包括P型掺杂、N型掺杂，其特征在于，所述P型掺杂包括步骤：A、在N型硅基片的背面生长二氧化硅层，并同时引入P型掺杂源，形成P型掺杂二氧化硅层；B、在所述P型掺杂层上生长不掺杂的二氧化硅层；C、在所述不掺杂的二氧化硅层上印刷腐蚀剂或抗腐蚀剂，将所述P型掺杂二氧化硅层和所述不掺杂的二氧化硅层腐蚀形成需要的图形。