| 摘要 |
본 발명은 자기터널접합 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 자기터널접합 디바이스는 i) (AB)C(0<x<100, 0<y<100)의 화학식을 가지는 화합물을 포함하는 제1 자성층, ii) 제1 자성층 위에 위치하는 절연층, 및 iii) 절연층 위에 위치하고, (AB)C(0<x<100, 0<y<100)의 화학식을 가지는 화합물을 포함하는 제2 자성층을 포함한다. 제1 자성층 및 제2 자성층은 수직자기 이방성을 가지고, A 및 상기 B는 각각 금속 원소이며, C는 B(붕소), C(탄소), Ta(탄탈륨) 및 Hf(하프뮴)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 비정질화 원소이다. |
