发明名称 具有规定目标冲蚀轮廓之几何之旋转磁铁阵列的溅射装置
摘要 一种磁控管溅射装置包括一可旋转的磁铁。至少一部分之磁铁的中心线位于一曲线上,此曲线由□所界定,其中ε(u)为一预选的冲蚀轮廓。当静止时,磁铁产生一局部的几乎一定宽度的磁场。于操作中,当磁铁旋转时,它产生预选的冲蚀轮廓于目标中。此预选的冲蚀轮廓可为为定的。
申请公布号 TW144390 申请公布日期 1990.10.21
申请号 TW079104159 申请日期 1990.05.22
申请人 斐芮恩联合公司 发明人 约翰.西.赫默;罗伯特.乐.安德森
分类号 H01L21/203 主分类号 H01L21/203
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种磁控管溅射装置,包括一直空室;装置,用来固定具有一前表面之目标于该真空室中;及可旋转的磁性装置,用来于该目标之前表面上,产生一磁场,该磁性装置被配置,因此,至少该磁性装置之第一部分的常态化中心线,可利用一方程式夹描述,此方程式为:其中(u)为一预选的冲蚀轮廓。它于该磁性装置,旋转期间形成于该目标中,C为一可选择的常数,而具有一可选择的范围。2.如申请专利范围第1项所述之溅射装置,其中该预选的冲蚀轮廓(u)为定値,且该第一部分可利用下面之方程式来描述,此方程式为:其中C为一可选择的常数。3.如申请专利范围第1项所述之溅射装置,其中该中心线形成一封闭曲线,且该曲线之每一部分,可利用该形式之方程式之选择C与之范围来描述。4.如申请专利范围第l项所述之溅射装置,其中该中心线之第二部分,可利用依一选择轴映射该第二部分而获得。5.如申请专利范围第1项所述之溅射装置,其中该磁性装置包括第一组多数之磁铁,它们具有均匀之长度,中心W线之中心分离放置于该一部分中的该第一组多数的每一该磁铁之磁极。6.如申请专利范围第4项所述之机射装置,其中该磁性装置包括第一组多数之磁铁及第二组多数之磁铁,中心线之中心分离放置于该第一部分上之该第一组多数之每一磁织的磁极,中心线之中心分推放置于该第二部分上之该第二组多数之每一磁铁之磁极。7.如申请专利范围第1项所述之溅射装置,包括磁性材料之第一与第二保持装置,每一均匀地间隔该第一部分而遍及于该部分之大部分,以便分配由均匀地沿着该第一部分的该磁性装置所产生之磁场。8.如申请专利范围第7项所述之溅射装置,其中该保持装置为可挠性的。9.如申请专利范围第1项所述之溅射装置,其中0≦≦n/2。图示简单说明:图1显示以往技术的溅射装置之部分图解透视图;图2A显示包括一旋转磁铁组件的以往技术之溅射装置之简化图;图2B显示由图2A之源极所产生之冲蚀轮廓;图3A显示由一固定的圆形环状的磁性结构所产生于目标上的冲蚀区域;图3B显示由图(3A)之磁性组件于静止时所产生的假想的固定冲蚀轮廓;图3C显示由图(3A)所示之磁铁阵列之旋转所产生的冲蚀轮廓;图4说明具有不均匀宽度W且满足下面方程式的一冲蚀区域之几何机造;图5显示具有一定宽度及用来导出路线之中心线的方程式的相关量的路线元素;图6A显示方程式(13)之解的图形;图6B显示从图6A所示之曲线产生的一封闭回路曲线;图6C为图6B之扩大型;图7A与7B显示交替的多叶形实施例;图8A绕示本发明之一实施例;图8B显示图8A之穴施例所产生的冲蚀轮廓;图9显示图8之实施例的磁场;图10显示使用于涡电流测量的一圆形磁铁阵列;图10B显示于图10A之磁铁旋转期间,于A一H所指示之位置的涡电流之效应;图llA显示一图形磁铁阵列;图llB显示图11A之磁铁阵列之旋转而产生之涡电流效应,作为图11A所示之A一C位置的功能;图l2A一E显示对应于预选的冲蚀轮廓之本发明的磁性装置之中心线的交替的置施例;图13显示图8之实施例所量测的冲蚀轮廓与预测之轮廓的比较:图 l4 A显示依照欧洲专利公报N0.211412之指示的一磁铁构造;图14B显示图14A之磁铁构造的计算的冲蚀轮廓;图15A为由日本专利公报N0.62一211375所指示之均匀冲蚀的方程式与在此所示之均匀冲蚀之方程式之比较;图15B为比较图15A所示之两曲线的冲蚀轮廓。
地址 美国
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