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Un procedimiento de diseño de una memoria magnetorresistiva por par de transferencia de espín de acceso aleatorio, STT-MRAM, que comprende: la obtención (910) de una curva característica para un transistor (420) de acceso; la determinación (920) de una resistencia de estado0 y una resistencia de estado1 de un elemento de almacenamiento de unión de túnel magnético, MTJ, correspondientes a unos estados primero y segundo de la memoria; la determinación (930) de una tensión de escritura tal que los puntos operativos (612, 622) tanto de las operaciones de escritura del primer estado como del segundo intercepten la curva característica en una región saturada; y la determinación (940) de una tensión de lectura tal que los puntos operativos (532, 542) tanto de las operaciones de lectura del primer estado como del segundo intercepten la curva característica en una región lineal.
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