| 发明名称 | GaN缓冲层中的掺杂剂扩散调制 | ||
| 摘要 | 一种半导体晶体及其形成方法。该方法包括提供包含掺杂剂和III族元素的气体流、停止提供包含掺杂剂和III族元素的气体流降低温度、重新开始提供包含III族元素的气体流然后升高温度。 | ||
| 申请公布号 | CN102365763A | 申请公布日期 | 2012.02.29 |
| 申请号 | CN201080014928.5 | 申请日期 | 2010.04.07 |
| 申请人 | 宜普电源转换公司 | 发明人 | 罗伯特·比奇;赵广元 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 臧建明 |
| 主权项 | 一种半导体晶体，包括：基底；一组位于该基底上的过渡层；以及该组过渡层上的III族氮化合物(III‑N)，包含经调制并且逐渐降低浓度的掺杂剂原子。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||