| 摘要 |
Verfahren zur Herstellung von MEMS-Bauelementen, bei dem – auf einer Oberseite eines Wafers (1) aus Halbleitermaterial eine perforierte Schicht (2) hergestellt wird, die Öffnungen (3) aufweist, die so dimensioniert sind, dass sie einerseits ein epitaktisches Aufwachsen von Halbleitermaterial auf der Oberseite des Wafers (1) und andererseits eine Verwendung der perforierten Schicht (2) als Ätzstoppschicht gestatten, wobei der Quotient aus der in den Öffnungen (3) frei liegenden Fläche der Oberseite des Wafers (1) und der von der perforierten Schicht (2) bedeckten Fläche der Oberseite des Wafers (1) zwischen 0,4 und 1,0 ist, – auf der Oberseite des Wafers (1) eine Epitaxieschicht (4) aufgewachsen wird, die die perforierte Schicht (2) überdeckt, und – ein Anteil des Wafers (1) oder ein Anteil der Epitaxieschicht (4) mit einem Ätzmittel entfernt wird, wobei die perforierte Schicht (2) als Ätzstoppschicht verwendet wird.
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