| 发明名称 | 一种共栅共源多漏极的碳纳米管导电沟道场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种新型共栅共源多漏极的碳纳米管导电沟道场效应晶体管结构，包括位于最底端的衬底，该衬底是呈现P型导电性的硅单晶片，同时作为背栅电极；衬底上是已知厚度和介电常数的绝缘层，在绝缘层上有由一个源极和两个或两个以上相互独立的漏极组成的电极组，其中，两个或两个以上的漏极分别与源极由碳纳米管网络相连接，构成共栅、共源极的两组或两组以上的导电沟道。且一组导电沟道的漏源电压的变化可以调节其它组导电沟道的漏源电流。 | ||
| 申请公布号 | CN102361029A | 申请公布日期 | 2012.02.22 |
| 申请号 | CN201110313866.4 | 申请日期 | 2011.10.16 |
| 申请人 | 西北大学 | 发明人 | 张志勇;翟春雪;邓周虎;王若铮;陈骞;赵武;王雪文;闫军锋 |
| 分类号 | H01L27/07(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/07(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人 | 李郑建 |
| 主权项 | 一种共栅共源多漏极的碳纳米管导电沟道场效应晶体管，其特征在于，包括位于最底端的衬底，该衬底是呈现P型导电性的硅单晶片，同时作为背栅电极；衬底上是已知厚度和介电常数的绝缘层，在绝缘层上有由一个源极和相互独立的两个或两个以上的漏极组成的电极组，其中，两个或两个以上的漏极与源极之间由碳纳米管网络相连接，构成共栅、共源极的两组或多组导电沟道。 | ||
| 地址 | 710069 陕西省西安市太白北路229号 | ||