Substrat mit einer Kupfer enthaltenden Beschichtung und Verfahren zu deren Herstellung mittels Atomic Layer Deposition und Verwendung des Verfahrens

摘要

Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Substrats, wobei die Beschichtung aus Kupfer besteht oder dieses enthält, mit folgenden Schritten – Bereitstellung eines Kupfer-Precursors und eines Substrats, wobei der Kupfer-Precursor ein Kupfer(I)-Komplex ist, der kein Fluor enthält, – Schichtabscheidungsschritt, bei dem mittels Atomlagenabscheidung (ALD) eine Kupfer enthaltende Schicht unter Verwendung des Precursors zumindest auf Teilbereichen der Substratoberfläche abgeschieden wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Precursor ein Komplex der Formel L2Cu(X∩X) ist, worin – L gleiche oder verschiedene &sgr;-Donor-&pgr;-Akzeptor Liganden und/oder gleiche oder verschiedene &sgr;,&pgr;-Donor-&pgr;-Akzeptor Liganden sind und – X∩X ein zweizähniger Ligand ist, der ausgewählt wird aus der Gruppe, bestehend aus &bgr;-Diketonaten, &bgr;-Ketoiminaten, &bgr;-Diiminaten, Amidinaten, Carboxylaten und Thiocarboxylaten.