| 主权项 |
1.一种改善复晶矽/复晶矽氧化层介面品质的方法,包括下列步骤:(a)以高于600℃的反应温度,沈积第一复晶矽层;(b)以低于600℃的反应温度,于该第一复晶矽层上沈积第二复晶矽层;以及(c)以热氧化法于该第二复晶矽层上,形成一复晶矽氧化层(poly oxide)。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(a)与步骤(b)系在同一反应室中连续进行。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(a)与步骤(b)系在相同或不同的反应室中依次分别进行。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中在步骤(a)之后与步骤(b)尚未进行之前,更包括:以氢氟酸去除该第一复晶矽层上之原生氧化层(nativeoxide)。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(a)之反应温度约620-640℃。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(b)之反应温度约550-570℃。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤(b)与步骤(c)之间,更包括:布植离子于该第一与第二复晶矽层中,藉以提升其导电度。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤(c)之后,更包括:依序形成氮化矽层、四乙氧基矽烷层(TEOS)、及一导电层,以构成一电容器。图式简单说明:第1图绘示一电容器结构之剖面示意图。第2图为习知制作复晶矽与复晶矽氧化层之制程流程图。第3图为依据本发明实施例1,制作复晶矽与复晶矽氧化层之制程流程图。第4图为依据本发明实施例2,制作复晶矽与复晶矽氧化层之制程流程图。 |
