发明名称 | 磁性记忆胞结构与磁性记忆装置 | ||
摘要 | 一种磁性记忆胞结构适用于双态型模式存取操作的一磁性记忆装置,包括一磁性固定叠层,做为一基层结构的一部份。一穿隧绝缘层位于该磁性固定叠层之上。一磁性自由叠层位于该穿隧绝缘层之上。一磁性偏压叠层,位于该磁性自由叠层之上。其中,磁性偏压叠层提供一偏压磁场给该磁性自由叠层,以使一双态操作区域更接近于一磁场零点。又,磁性偏压叠层所产生的磁场作用也包括缩小邻接于该双态操作区域的一直接区域。 | ||
申请公布号 | TW200733103 | 申请公布日期 | 2007.09.01 |
申请号 | TW095105723 | 申请日期 | 2006.02.21 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 李元仁;洪建中;高明哲 |
分类号 | G11C11/15(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |