| 发明名称 | 电化学传感器 | ||
| 摘要 | 一种电化学传感器，具有包含FET基结构的ISFET，包括源极区(25)、漏极区(26)以及设置在所述源极区(25)与所述漏极区(26)之间的导电槽(13)，并且还包括在所述FET基结构上直接形成并完全覆盖所述FET基结构的第一层(21)、在所述第一层(21)的顶部上形成的离子敏感层(117，217)、以及ESD保护层(118，218)，其中所述ESD保护层将所述ISFET与测量介质隔离，但是留出栅极区(119，219，319)未覆盖，其特征在于，所述FET基结构与所述第一层(21)之间的第一边界表面、所述第一层(21)与所述离子敏感层(117，217)之间的第二边界表面以及所述离子敏感层(117，217)的顶侧表面在平坦表面区域内是大致平坦的，其中所述平坦表面区域(34)延伸超过内侧表面区域(28)，由所述源极区(25)、漏极区(26)和所述导电槽(13)在所述平坦表面区域上的投影限定所述内侧表面区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101189507B | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN200680019193.9 | 申请日期 | 2006.05.23 |
| 申请人 | 梅特勒-托利多公开股份有限公司 | 发明人 | M·贝尔纳斯科尼;C·德穆特;H·范哈伦;J·范德图因 |
| 分类号 | G01N27/414(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/414(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 蔡胜利 |
| 主权项 | 一种电化学传感器，具有包含FET基结构的ISFET，包括源极区(25)、漏极区(26)以及设置在所述源极区(25)与所述漏极区(26)之间的导电槽(13)，并且还包括在所述FET基结构上直接形成并完全覆盖所述FET基结构的第一介电和/或绝缘层(21)、在所述第一介电和/或绝缘层(21)的顶部上形成的离子敏感层(117，217)、以及ESD保护层(118，218)，其中所述ESD保护层将所述ISFET与测量介质隔离，但是留出栅极区(119，219，319)未覆盖，其特征在于，所述FET基结构与所述第一介电和/或绝缘层(21)之间的第一边界表面、所述第一介电和/或绝缘层(21)与所述离子敏感层(117，217)之间的第二边界表面以及所述离子敏感层(117，217)的顶侧表面在平坦表面区域内是大致平坦的，其中所述平坦表面区域(34)延伸超过内侧表面区域(28)，由所述源极区(25)、漏极区(26)和所述导电槽(13)在所述平坦表面区域上的投影限定所述内侧表面区域。 | ||
| 地址 | 瑞士格赖芬塞 | ||