发明名称 多晶矽控制的回蚀刻显示器
摘要 该发明公开了一种生产电子线路的半导体晶圆。这种半导体基片进一步包括一个回蚀刻显示器,该显示器包括有不同尺寸的沟槽,沟槽中充填有多晶矽。然后,多晶矽又从那些较大平面尺寸的沟槽中全部清除,但在那些较小平面尺寸的沟槽底部仍然保留有多晶矽。
申请公布号 TWI358129 申请公布日期 2012.02.11
申请号 TW096114865 申请日期 2007.04.26
申请人 万国半导体股份有限公司 百慕达 发明人 王宇;李铁生;戴嵩山;常虹
分类号 H01L29/76;H01L21/306;H01L21/02 主分类号 H01L29/76
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项
地址 百慕达