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umfassend – einen Leistungs-MOS-Transistor (M3), der mit einer höheren auf ein Referenzpotential (GND) bezogenen Versorgungsspannung (Vsup) betrieben wird, die dessen maximal zulässige Gate-Source-Spannung übersteigt, – mit einer ersten Treiberstufe, die ein Paar Treiber-MOS-Transistoren (M1, M2) umfasst, welche in Reihe zwischen die höhere Versorgungsspannung (Vsup) und das Referenzpotential (GND) angeschlossen sind, und an deren Zusammenschaltungsknoten das Gate des Leistungs-MOS-Transistors (M3) angeschlossen ist, – wobei das Gate jedes Treiber-MOS-Transistors mit je einem Kondensator (C1, C2) eines Pegelschiebers verbunden ist, wobei die Kondensatoren andererseits mit einer zweiten Treiberstufe eines Pegelschiebers (buf1, buf2) verbunden sind, die mit einer ebenfalls auf das Referenzpotential bezogenen Versorgungsspannung (VMAIN) betrieben wird, die wesentlich niedriger als die Versorgungsspannung für den Leistungs-MOS-Transistor (M3) ist, – bei dem die Gates der Treiber-MOS-Transistoren (M1, M2) durch eine Parallelschaltung eines ersten Widerstandes (R1, R2) und eines zweiten Widerstandes (R3, R4), der in Reihe mit einem nicht...
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