沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法

摘要

本发明提供了一种沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法。该方法包括：在衬底上形成第一外延层；在所述第一外延层上部的多个沟槽区域内形成多个沟槽底部氧化层；通过合并外延层横向过生长在所述多个沟槽底部氧化层的上部生长出第二外延层；根据所述多个沟槽底部氧化层的位置对所述第二外延层的局部进行具有终点模式的等离子干法蚀刻，形成沟槽MOSFET的多个沟槽。采用本发明的制造方法，可以降低沟槽金属氧化物半导体场效应管的工艺制造成本，同时提高每一层的质量和纯度。

主权项

一种沟槽金属氧化物半导体场效应管MOSFET的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在衬底上形成第一外延层；在所述第一外延层上部的多个沟槽区域内形成多个沟槽底部氧化层；通过合并外延层横向过生长在所述多个沟槽底部氧化层的上部生长出第二外延层；根据所述多个沟槽底部氧化层的位置对所述第二外延层的局部进行具有终点模式的等离子干法蚀刻，形成沟槽MOSFET的多个沟槽。