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发明名称
半导体装置及电子装置
摘要
在本发明之半导体装置中,可减轻发热及电力损耗之问题,从过电流引起之故障中保护半导体装置。半导体装置10包含具有大电流输出之IC晶片20,于IC晶片20内之第1垫Pi1,利用金配线电性连接测定用端子Pw1,将金配线之阻抗Rp1产生之电位差与特定临限值作比较,电位差超过特定临限值的话,执行使PMOS型电晶体断开之动作。
申请公布号
TWI357654
申请公布日期
2012.02.01
申请号
TW094117761
申请日期
2005.05.31
申请人
罗沐股份有限公司 日本
发明人
泷原裕贵;尾原洋一;土桥正典
分类号
H01L27/00
主分类号
H01L27/00
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
日本
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