发明名称 半导体装置及电子装置
摘要 在本发明之半导体装置中,可减轻发热及电力损耗之问题,从过电流引起之故障中保护半导体装置。半导体装置10包含具有大电流输出之IC晶片20,于IC晶片20内之第1垫Pi1,利用金配线电性连接测定用端子Pw1,将金配线之阻抗Rp1产生之电位差与特定临限值作比较,电位差超过特定临限值的话,执行使PMOS型电晶体断开之动作。
申请公布号 TWI357654 申请公布日期 2012.02.01
申请号 TW094117761 申请日期 2005.05.31
申请人 罗沐股份有限公司 日本 发明人 泷原裕贵;尾原洋一;土桥正典
分类号 H01L27/00 主分类号 H01L27/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本