发明名称 铝碳化硅复合材料IGBT基板的制备及镶嵌铝合金的方法
摘要 铝碳化硅复合材料IGBT基板的制备及镶嵌铝合金的方法,包括(1)骨架模具的设计。(2)压模。(3)微波烧结。(4)真空压力渗铝:其骨架模具的设计:是在两对边或四边需要打孔或攻丝的部位设计成阳模;将非打孔或攻丝部位设计成阴模,使骨架模具的型腔形成凸凹形状;在凸凹连接部位用R10~R20mm的圆弧过渡;其真空压力渗铝是将碳化硅骨架有凸凹边的部位放入与开口方向垂直的渗铝模具中,将渗铝模具装入真空压力浸渍炉,开口朝下;在渗铝压力为8MPa进行渗铝,使碳化硅骨架和凹部充满铝合金。本发明使镶嵌的铝合金与碳化硅骨架中的铝合金同时冷凝结晶,连接紧密,在打孔或攻丝部位镶嵌了铝合金,提高了打孔或攻丝的效率。
申请公布号 CN102335747A 申请公布日期 2012.02.01
申请号 CN201110340918.7 申请日期 2011.11.02
申请人 湖南航天诚远精密机械有限公司 发明人 舒阳会;刘韵妍;万绍平;海春英;胡娟;宋军;张晓武;李彬;胡盛青;谭春林
分类号 B22F5/10(2006.01)I;B22F3/26(2006.01)I 主分类号 B22F5/10(2006.01)I
代理机构 长沙星耀专利事务所 43205 代理人 赵静华
主权项 一种铝碳化硅复合材料IGBT基板的制备及镶嵌铝合金的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)骨架模具的设计:(A)在两对边或四边需要打孔或攻丝的部位设计成阳模;将非打孔或攻丝部位设计成阴模,使骨架模具的型腔形成凸凹形状;在凸凹连接部位用R10~R20 mm的圆弧过渡, 将模具设计成拔模斜度;(B)模具压头的设计:将非打孔或攻丝部位设计成阳模;在凸凹连接部位采用R10~R20的圆弧过渡;;模具深度方向的拔模斜度的计算方法是对边:邻边=1:30~50;(2)压模:压头与型腔的配合间隙单边为0.08mm;成型压力50Mpa;(3)微波烧结:将碳化硅骨架码放5层为1垛,每板上放6垛,每垛四周留1 mm的间距;将码放好碳化硅骨架的耐火材料板放入微波烧结炉内,升温至800℃,保温60分钟;(4)真空压力渗铝:将碳化硅骨架有凸凹边的部位放入与开口方向垂直方向的渗铝模具中,使凸凹部位置于浸渗模具的两壁;然后将渗铝模具装入真空压力浸渍炉,开口朝下;在渗铝压力为8MPa 进行渗铝,使碳化硅骨架和凹部充满铝合金。
地址 410205 湖南省长沙市岳麓区枫林三路217号