发明名称 |
光激发碳化硅高压开关 |
摘要 |
一种改进的光电导开关,该光电导开关具有SiC或其他的较宽带隙基片材料比如GaAs、和优选由SiN构成的场分级划线器,该场分级划线器紧挨电极周界或紧挨基片周界而形成于基片上,用于对电场进行分级。 |
申请公布号 |
CN101390223B |
申请公布日期 |
2012.02.01 |
申请号 |
CN200680048950.5 |
申请日期 |
2006.10.24 |
申请人 |
劳伦斯利弗莫尔国家安全有限公司 |
发明人 |
乔治·J·卡波拉索;斯蒂芬·E·桑帕扬;詹姆斯·S·沙利文;戴维·M·桑德尔 |
分类号 |
H01L31/09(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/09(2006.01)I |
代理机构 |
上海市华诚律师事务所 31210 |
代理人 |
傅强国;涂勇 |
主权项 |
一种光电导开关,其包括:由带隙宽大于1.6eV的材料构成的光电导基片,所述基片具有至少一个凹面、和与光源光学连接的从中接收光能的小平面;和两个与所述基片电连接的用于对所述基片施加电势的电极,所述电极中的至少一个电极具有接触地设置在与所述至少一个凹面中所对应的凹面中的凸面,以及两个在所述基片上形成的、围绕着所述基片的电极接触面的场分级划线器,用于沿电场对其进行分级。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |