发明名称 基于H<sup>+</sup>敏感的Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>材料EIS结构、制备和pH在线检测方法
摘要 本发明涉及一种H+敏感的Ta2O5材料EIS结构、制备和pH在线检测方法,其特征在于所述的EIS结构自上而下由H+敏感材料层、绝缘体层、半导体层和导电Al层四层组成;其中H+敏感材料层为Ta2O5,绝缘体层为SiO2,半导体层为双面抛光P-Si,导电层为金属Al。所述EIS结构式用MEMS工艺制作,使用EIS结构进行pH在线检测方法是以插入敏感层中的商用Ag/AgCl电极作为参比电极,EIS结构另一面的Al层作为工作电极,基于阻抗谱和测试不同pH下相同扫描条件下的电容-电压曲线,找到合适的电容值,从而得到pH-V的对应关系,直接检测电压值即可进侧出pH值。利用本发明提供的EIS结构,制作的pH传感器体积小,便于携带,并可长时间进行pH在线检测。
申请公布号 CN102338767A 申请公布日期 2012.02.01
申请号 CN201110137353.2 申请日期 2011.05.25
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 赵建龙;金妍;刘德盟;陈淼;金庆辉
分类号 G01N27/413(2006.01)I;G01N27/22(2006.01)I 主分类号 G01N27/413(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 潘振甦
主权项 一种基于H+敏感的Ta2O5材料的EIS结构,其特征在于所述的结构自上而下由H+敏感材料层、绝缘体层、半导体层和导电Al层四层组成;其中H+敏感材料层为Ta2O5,绝缘体层为SiO2,半导体层为双面抛光P‑Si,导电层为金属A1。
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号