发明名称 |
基于H<sup>+</sup>敏感的Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>材料EIS结构、制备和pH在线检测方法 |
摘要 |
本发明涉及一种H+敏感的Ta2O5材料EIS结构、制备和pH在线检测方法,其特征在于所述的EIS结构自上而下由H+敏感材料层、绝缘体层、半导体层和导电Al层四层组成;其中H+敏感材料层为Ta2O5,绝缘体层为SiO2,半导体层为双面抛光P-Si,导电层为金属Al。所述EIS结构式用MEMS工艺制作,使用EIS结构进行pH在线检测方法是以插入敏感层中的商用Ag/AgCl电极作为参比电极,EIS结构另一面的Al层作为工作电极,基于阻抗谱和测试不同pH下相同扫描条件下的电容-电压曲线,找到合适的电容值,从而得到pH-V的对应关系,直接检测电压值即可进侧出pH值。利用本发明提供的EIS结构,制作的pH传感器体积小,便于携带,并可长时间进行pH在线检测。 |
申请公布号 |
CN102338767A |
申请公布日期 |
2012.02.01 |
申请号 |
CN201110137353.2 |
申请日期 |
2011.05.25 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
赵建龙;金妍;刘德盟;陈淼;金庆辉 |
分类号 |
G01N27/413(2006.01)I;G01N27/22(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/413(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
潘振甦 |
主权项 |
一种基于H+敏感的Ta2O5材料的EIS结构,其特征在于所述的结构自上而下由H+敏感材料层、绝缘体层、半导体层和导电Al层四层组成;其中H+敏感材料层为Ta2O5,绝缘体层为SiO2,半导体层为双面抛光P‑Si,导电层为金属A1。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |