| 发明名称 | 一种离子中性化网板 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种离子中性化网板，属于中性离子刻蚀技术领域。所述离子中性化网板为台阶式结构，所述中性化网板上设置有多个网孔。本发明提供的离子中性化网板，有助于提高离子中性化的效率，提高了中性粒子束密度分布的均匀性、粒子速度等特性的稳定，对于有效控制中性粒子束工艺起到关键的作用。 | ||
| 申请公布号 | CN102339715A | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN201110287917.0 | 申请日期 | 2011.09.26 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 席峰;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H05H3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
| 主权项 | 一种离子中性化网板，其特征在于，所述离子中性化网板为台阶式结构，所述离子中性化网板上设置有多个网孔。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||