发明名称 一种电子束光刻加工圆形阵列的方法
摘要 本发明涉及一种电子束光刻加工圆形阵列的方法。旨在减小加工弧形线条时的数据量,从而缩短数据处理的时间。本发明充分利用了高斯型束斑矢量扫描式电子束光刻机的工作模式特点,通过设置特定的扫描步长以及曝光剂量,得到不同直径,不同间距的圆形孔状或者柱状纳米阵列,图形与图形之间最小间隙可小至10nm。本发明可用于不同直径、不同间距的圆形孔状或者柱状纳米阵列的加工,图形与图形之间的最小间隙可至10nm。该工艺方法最大的优势在于,与传统直接加工圆形阵列相比,整个流程中不需要使用圆弧状图形数据,使其在数据处理方面花费的时间会大大缩短。
申请公布号 CN101916038B 申请公布日期 2012.01.25
申请号 CN201010227002.6 申请日期 2010.07.15
申请人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明人 时文华;钟飞;王逸群;曾春红;董艳;周健
分类号 G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F7/00(2006.01)I
代理机构 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人 陈忠辉
主权项 一种电子束光刻加工圆形阵列的方法,所述圆形阵列是指样品上圆孔或圆柱形成的任意形状的规则阵列结构,其特征在于包含如下步骤:(1)、图形设计,根据所需加工圆形阵列分布的位置及大小,在待加工样品对应位置画出对应大小的矩形图形;(2)、在待加工样品上涂覆电子束光刻胶,并对其按序进行至少包括烘烤、冷却的处理;(3)、将待加工样品放入电子束光刻机,所述电子束光刻机的工作方式为高斯型束斑矢量扫描,根据所需加工的圆形阵列图形的宽度、阵列周期、阵列与阵列之间的间隔及孔径参数设定相应的扫描步长及曝光剂量;(4)、对待加工样品进行电子束直写曝光;(5)、经显影、定影后在待加工样品表面得到所需的纳米尺度的圆形阵列图形。
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