半导体器件及其制作方法

摘要

一种半导体器件，包括半导体衬底，位于半导体衬底上的栅极介电层和位于栅极介电层上的栅极，以及半导体衬底内位于栅极介电层两侧的源极和漏极，还包括位于源极和漏极表面延伸的连接界面层和沿栅极表面延伸的连接界面层，所述连接界面层与栅介电层绝缘隔离。所述半导体器件的连接界面层内含有提供连续电子态的掺杂界面，在很低的电场作用下即可完成电子传输，降低了半导体与接触孔的连接金属之间的接触电阻。该器件仅需要极薄的掺杂界面层与金属相连接；可以进一步地缩小半导体器件的大小，增加半导体器件的密度。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有栅极介电层和位于栅极介电层上的栅极以及位于栅极介电层两侧的半导体衬底内的源极和漏极，所述栅极侧壁不具有侧墙；在所述半导体衬底上形成掩膜，覆盖栅极和栅极介电层的侧壁以及源漏之外的半导体衬底；以掩膜层为掩膜，在等离子体环境下溅射金属形成沿源极和漏极表面延伸的连接界面层和沿栅极表面延伸的连接界面层，所述等离子体包括氩离子和氧离子、氮离子、氢离子、硼化氢离子、砷化氢离子或者磷化氢离子中的任意一种，所述金属为钴、镍、钼、钛、铜或者铌，所述连接界面层为金属反应掺杂物或金属硅化物的掺杂物，所述掺杂物为氧、氮、氢中的任意一种；去除所述掩膜。