发明名称 一种用于刻蚀光阻材料的大气压冷等离子体射流装置
摘要 本发明公开了一种用于刻蚀光阻材料的大气压冷等离子体射流装置,采用氩气作为工作气体,氩气瓶外接流量控制阀,转动控制阀调节气体流量的大小,通过外接的气体流量表测出气体流量;然后,气体流量表接到聚四氟乙烯管上;聚四氟乙烯管末端接陶瓷管;高电压低频率功率源接到功率电极上,采用金属细丝环作为功率电极,放电在金属环产生后,被气流吹出腔体产生射流,射流到达基片上,进行光阻材料刻蚀。本发明能够在大气压条件下对光阻材料进行均匀而且干净地刻蚀,避免刻蚀后黑色斑点出现,这在半导体制造业光刻工艺中尤为重要,可以进行均匀刻蚀,避免基片损坏。
申请公布号 CN102333410A 申请公布日期 2012.01.25
申请号 CN201110276429.X 申请日期 2011.09.16
申请人 西安交通大学 发明人 王立军;傅明政;贾申利;宁文军;史宗谦
分类号 H05H1/24(2006.01)I 主分类号 H05H1/24(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 陆万寿
主权项 一种用于刻蚀光阻材料的大气压冷等离子体射流装置,其特征在于:包括氩气瓶、流量控制阀、气体流量表、聚四氟乙烯管、高压探针、功率电极、高电压低频率功率源、光纤、等离子体射流、样品和发射光谱仪;所述氩气瓶外接流量控制阀,流量控制阀上连接气体流量表,气体流量表接到聚四氟乙烯管,聚四氟乙烯管末端接陶瓷管;所述高电压低频率功率源外接功率电极,功率电极设置在陶瓷管外壁;所述陶瓷管端口对应处设置样品,在样品与陶瓷管端口之间存在等离子体射流。
地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号