含碱金属氧化物的光纤

摘要

公开一种光纤，该光纤具有基于二氧化硅的芯体，所述芯体包含选自下组的碱金属氧化物：K2O、Na2O、Rb2O、Cs2O以及它们的混合物，所述芯体中碱金属氧化物的平均浓度约为50-500重量ppm，所述芯体还包含氯和氟，其中，所述芯体中氟的平均浓度大于所述芯体中所述碱金属氧化物的平均浓度，所述芯体中氯的平均浓度大于所述芯体所述碱金属氧化物的平均浓度；和基于二氧化硅的覆层，该覆层包围所述芯体并与芯体直接相邻。通过适当选择在芯体和覆层中的碱金属氧化物的浓度，可获得低损耗光纤。

主权项

一种光纤，包括：基于二氧化硅的芯体，所述芯体包含选自下组的碱金属氧化物：K2O、Na2O、Rb2O、Cs2O以及它们的混合物，所述芯体中碱金属氧化物的平均浓度为50‑500重量ppm，所述芯体还包含氯和氟，其中，所述芯体中氟的平均浓度大于所述芯体中所述碱金属氧化物的平均浓度，所述芯体中氯的平均浓度大于所述芯体中所述碱金属氧化物的平均浓度；所述光纤的芯体包含沿芯体的中心线设置的第一区，该区的最小氯含量小于100重量ppm，以及包围所述第一区的第二区，该第二区的氯峰值浓度大于500重量ppm；和基于二氧化硅的覆层，该覆层包围所述芯体并与芯体直接相邻。