一种DRAM源同步的测试方法及其测试电路

摘要

本发明提供了一种DRAM源同步的测试方法及其测试电路，解决了现有技术测试方式复杂、可靠性不高的技术问题。本发明是一个集成在DRAM内部可以精确测量源同步时间参数的电路，单次运行就可测试出参数是否符合规范标准。该测试电路被激活时，同时打开DQ管脚和DQS管脚的驱动电路及接收电路。该测试电路包含可调延时单元，可以相对于DQ沿移动DQS沿，该可调延时单元位于DQS管脚驱动电路之前；可调延时单元也可放置在DQS管脚接收电路之后，DQ管脚延时接收DQS信号。本发明能够有效重构出测试机台无法实现的源同步测试功能；测试操作简便，精度、可靠性较好。

主权项

一种DRAM源同步的测试方法，包括以下步骤：(1)将DRAM设置为测试模式，使读路径和写路径被同时激活；(2)在读路径中，时钟信号驱动数据由FIFO输出至DQ管脚，并驱动DQS管脚发出选通信号；(3)步骤(2)DQ管脚接收的数据和DQS管脚发出的选通信号直接转回写路径；DQS信号选通DQ管脚将数据写入；(4)DQ管脚写入的数据经锁存后与步骤(2)由FIFO输出至DQ管脚的原数据进行比较，判断由该DQ管脚写入的数据是否正确，即判断出该DQ管脚是否合格，得到测试结果；在上述步骤(2)读路径或步骤(3)写路径中对DQ管脚与DQS管脚之间进行延时设置。