曝光方法和器件制造方法

摘要

本发明涉及曝光方法和器件制造方法。所述曝光方法通过照明光照明具有以矩阵方式布置的孔径和格子状遮光部分的掩模，经由投影光学系统在待投影对象上投影所述掩模，并由此在与所述遮光部分的格子的交点共轭的位置处形成暗部图案图像，在所述曝光方法中，照明的可用光源形状满足特定的条件。因此，能够将二维周期性图案曝光到与一维周期性图案相同的理论极限间距，并且，还能够充分地确保焦点深度。

主权项

一种曝光方法，所述曝光方法通过照明光照明具有以矩阵方式布置的孔径和格子状遮光部分的掩模，经由投影光学系统在待投影对象上投影所述掩模，并由此在与所述遮光部分的格子的交点共轭的位置处形成暗部图案图像，其中如果假定关于投影光学系统的光瞳的中心，使用向孔径的行方向延伸的X轴、向孔径的列方向延伸的Y轴和以投影光学系统的光瞳的中心的坐标作为原点(0，0)的正交坐标系，投影光学系统的数值孔径为NA，照明光的波长为λ(m)，孔径的行方向间距为Px(m)，并且孔径的列方向间距为Py(m)，那么照明的可用光源形状由圆X2+Y2＝NA2与由以下的等式定义的圆中的每一个圆的重叠区域规定：(X‑a)2+Y2＝NA2，(X+a)2+Y2＝NA2，X2+(Y‑b)2＝NA2，以及X2+(Y+b)2＝NA2，以及Px、Py、a和b满足以下的条件：(λ/Px)2+(λ/Py)2＞4NA2，0.25·λ/NA＜Px/2＜0.50·λ/NA，0.25·λ/NA＜Py/2＜0.50·λ/NA，λ/Px≤a＜2·NA，以及λ/Py≤b＜2·NA。