| 主权项 |
一种操作非挥发性记忆体之方法，其包含：藉由在施加一读取导通电压至未选择字线之同时使用一或多个读取参考电压读取耦接至一所选择字线之一或多个储存元件，而从耦接至一字线集合的非挥发性储存元件读取资料；及施加一或多个程式化电压脉冲至该字线集合，以软程式化耦接至该字线集合之一第一非挥发性储存元件群组，其中施加该一或多个程式化电压脉冲之每一者包括施加一第一电压至该字线集合接着施加一第二较大电压，该第一电压系不同于该读取导通电压；其中施加该一或多个程式化电压脉冲之每一者包含：施加一第一程式化电压脉冲，其系藉由在一第一电压位准施加该第一程式化电压脉冲之该第一电压，及在一第二电压位准施加该第一程式化电压脉冲之该第二电压；及施加一第二程式化电压脉冲，其系藉由在一第三位准施加该第二程式化电压脉冲之该第一电压及在一第四位准施加该第二程式化电压脉冲之该第二电压，该第三位准系高于该第一位准，且该第四位准系高于该第二位准。如请求项1之方法，其中：该第二程式化电压脉冲系在该第一程式化电压脉冲之后予以施加；及该方法进一步包含在施加该第一程式化电压脉冲之后及在施加该第二程式化电压脉冲之前施加一第三程式化电压脉冲，该第三程式化电压脉冲的该第一电压系在该第一电压位准予以施加。如请求项1之方法，其中：该第一电压位准与该第二电压位准之间的一差大体上系等于该第三电压位准与该第四电压位准之间的一差。如请求项1之方法，其中：施加该一或多个程式化电压脉冲系回应于一擦除耦接至该字线集合之该等非挥发性储存元件的请求而执行。如请求项1之方法，其中：该字线集合系耦接至一非挥发性储存元件区块；该第一非挥发性储存元件群组为该非挥发性储存元件区块的一第一NAND串；该非挥发性储存元件区块包括一第二NAND串，该第二NAND串系在施加该一或多个程式化电压脉冲之同时经抑制软程式化。如请求项1之方法，其中：耦接至该字线集合的该等非挥发性储存元件为多状态快闪记忆体单元。一种操作非挥发性记忆体之方法，其包含：藉由在施加一读取导通电压至未选择字线之同时使用一或多个读取参考电压读取耦接至一所选择字线之一或多个储存元件，而从耦接至一字线集合的非挥发性储存元件读取资料；及施加一或多个程式化电压脉冲至该字线集合，用以软程式化耦接至该字线集合之一第一非挥发性储存元件群组，其中施加该一或多个程式化电压脉冲之每一者包括施加一第一电压至该字线集合接着施加一第二较大电压，该第一电压系不同于该读取导通电压；其中施加该一或多个程式化电压脉冲之每一者包含：施加一第一程式化电压脉冲，其系藉由在一第一电压位准施加该第一程式化电压脉冲之该第一电压，及在一第二电压位准施加该第一程式化电压脉冲之该第二电压；及施加一第二程式化电压脉冲，其系藉由在该第一位准施加该第二程式化电压脉冲之该第一电压，及在一第三位准施加该第二程式化电压脉冲之该第二电压，该第三位准系高于该第二位准。一种操作非挥发性记忆体之方法，其包含：藉由在施加一读取导通电压至未选择字线之同时使用一或多个读取参考电压读取耦接至一所选择字线之一或多个储存元件，而从耦接至一字线集合的非挥发性储存元件读取资料；及施加一或多个程式化电压脉冲至该字线集合，用以软程式化耦接至该字线集合之一第一非挥发性储存元件群组，其中施加该一或多个程式化电压脉冲之每一者包括施加一第一电压至该字线集合接着施加一第二较大电压，该第一电压系不同于该读取导通电压；藉由在施加该第二电压至该字线集合之同时施加一抑制电压至一第二非挥发性储存元件群组之一位元线，而抑制耦接至该字线集合之该第二非挥发性储存元件群组的软程式化；藉由在施加该抑制电压之同时施加该第一电压至该字线集合而预充电该第二非挥发性储存元件群组之一通道区域；及藉由在施加该抑制电压之同时施加该第二电压至该字线集合而升压该第二非挥发性储存元件群组之该通道区域。如请求项8之方法，其中施加该一或多个程式化电压脉冲之每一者包含：施加一第一程式化电压脉冲，该施加该第一程式化电压脉冲包括在一第一位准施加该第二电压；及施加一第二程式化电压脉冲，该施加该第二程式化电压脉冲包括在一第二位准施加该第二电压；其中升压该通道区域包括在施加该第一程式化电压脉冲之同时以一第一量来升压该通道区域，及在施加该第二程式化电压脉冲之同时以一第二量来升压该通道区域。一种非挥发性记忆体系统，其包含：一字线集合；与该字线集合连通之一第一非挥发性储存元件群组；与该字线集合连通之一第二非挥发性储存元件群组；及与该字线集合及该第一与该第二非挥发性储存元件群组连通的管理电路，该管理电路施加复数个程式化电压脉冲至该字线集合并施加一抑制电压至该第二非挥发性储存元件群组，以在抑制该第二非挥发性储存元件群组软程式化之同时软程式化该第一非挥发性储存元件群组，该管理电路藉由施加一预充电电压至该字线集合接着施加一较大软程式化电压来施加每一程式化电压脉冲，该预充电电压系在一不同位准对该等程式化电压脉冲中的至少两者予以施加。如请求项10之非挥发性记忆体系统，其中：该复数个程式化电压脉冲包括一第一程式化电压脉冲及一第二程式化电压脉冲；该管理电路在一第一电压位准施加该第一程式化电压脉冲之该预充电电压，且在一第二电压位准施加该第一程式化电压脉冲之该软程式化电压；及该管理电路在一第三位准施加该第二程式化电压脉冲之该预充电电压，且在一第四位准施加该第二程式化电压脉冲的该软程式化电压，该第三位准系高于该第一位准，且该第四位准系高于该第二位准。如请求项11之非挥发性记忆体系统，其中：该第一电压位准与该第二电压位准之间的一差大体上系不同于该第三电压位准与该第四电压位准之间的一差。如请求项10之非挥发性记忆体系统，其中：该第一非挥发性储存元件群组为一第一NAND串；该第二非挥发性储存元件群组为一第二NAND串；及该管理电路藉由在施加该软程式化电压之同时施加一抑制电压至该第二NAND串之一位元线来抑制该第二NAND串的软程式化。 |
